Ποια είναι η αρχή του χρώματος ουράνιο τόξο κενό ηλεκτρολυτική;

Ποια είναι η αρχή του χρώματος ουράνιο τόξο κενό ηλεκτρολυτική;

Η απόσταση από την πηγή εξάτμισης στο υπόστρωμα πρέπει να είναι μικρότερη από τη μέση ελεύθερη διαδρομή των μορίων ατμού στο υπόλοιπο αέριο για να αποφύγει τις χημικές αλληλεπιδράσεις που προκαλούνται από τη σύγκρουση των μορίων ατμού με τα υπολειπόμενα μόρια αερίου. Η μέση κινητική ενέργεια των μορίων ατμού είναι περίπου 0.1 ~ 0.2 ηλεκτρονίων βολτ. Υπάρχουν τρεις τύποι πηγών εξάτμισης. (1) Πηγή θέρμανσης αντοχής: με πυρίμαχο μέταλλο όπως βολφράμιο, ταντάλιο από φύλλο αλουμινίου σκάφους ή νηματώδες, με ηλεκτρικό ρεύμα, θέρμανση από πάνω του ή τοποθετείται στο χωνευτήριο του υλικού εξάτμισης. Η πηγή θέρμανσης αντίστασης χρησιμοποιείται κυρίως για να εξατμίσει Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni και άλλα υλικά. Πηγή θέρμανσης επαγωγής υψηλής συχνότητας: χωνευτήριο θέρμανσης και υλικό εξάτμισης με ρεύμα επαγωγής υψηλής συχνότητας. (3) Πηγή θέρμανσης ακτίνων ηλεκτρονίων: κατάλληλη για τα υλικά με την υψηλή θερμοκρασία εξάτμισης (όχι λιγότερο από 2000[618-1]), δηλ. υλικά που βομβαρδίζονται με τη ακτίνα ηλεκτρονίων για να τους κάνουν να εξατμιστούν. Σε σύγκριση με άλλες μεθόδους επικάλυψης κενού, η εξατμιστική επίστρωση έχει υψηλότερο ποσοστό εναπόθεσης και μπορεί να χρησιμοποιηθεί για την προετοιμασία απλών σύνθετων ταινιών που δεν αποσυντίθενται εύκολα από τη θερμότητα. Η μοριακή μέθοδος epitaxy ακτίνων μπορεί να χρησιμοποιηθεί για να καταθέσει το ενιαίο στρώμα κρυστάλλου υψηλής καθαρότητας. Ανάπτυξη - doped GaAlAs ενιαίο στρώμα κρυστάλλου της μοριακής συσκευής επιταξίας ακτίνων. Ένας φούρνος αεριωθούμενων είναι εξοπλισμένος με μια μοριακή πηγή ακτίνων, και όταν θερμαίνεται σε μια ορισμένη θερμοκρασία κάτω από το εξαιρετικά υψηλό κενό, τα στοιχεία στο φούρνο εκτινάσσονται στο υπόστρωμα σε ένα ρεύμα των μοριακών ακτίνων. Όταν το υπόστρωμα θερμαίνεται σε μια ορισμένη θερμοκρασία, τα μόρια που εναποτίθενται στο υπόστρωμα μπορούν να μεταναστεύσουν, και η ακολουθία αύξησης κρυστάλλου του πλέγματος υποστρωμάτων μπορεί να ληφθεί με τη μοριακή επιταξία ακτίνων. Μπορεί να ληφθεί η απαιτούμενη στοιχειομετρική αναλογία της υψηλής καθαρότητας σύνθετης ενιαίας κρυσταλλικής μεμβράνης. Ο βραδύτερος ρυθμός ανάπτυξης της ταινίας μπορεί να ελεγχθεί μέσα σε 1 μονοστρώματος δευτερόλεπτο. Με τον έλεγχο του διαφράγματος, η ενιαία λεπτή ταινία κρυστάλλου της απαιτούμενης σύνθεσης και δομής μπορεί να γίνει ακριβώς.

IKS PVD επιχείρηση, διακοσμητική μηχανή επιστρώματος, μηχανή επιστρώματος εργαλείων, οπτική επίστρωση mahcine, κενή γραμμή coting PVD. Επικοινωνήστε μαζί μας τώρα, E-mail: iks.pvd@foxmail.com