Ψεκασμός Απόθεση

· Εναπόθεση ψεκασμού

Όταν βομβαρδίζονται με σωματίδια υψηλής ενέργειας στη στερεά επιφάνεια, τα σωματίδια στη στερεά επιφάνεια μπορούν να λάβουν ενέργεια και να διαφύγουν από την επιφάνεια, και εναποτίθενται στο φαινόμενο της επιμετάλλωσης υποστρώματος άρχισε να χρησιμοποιείται στην τεχνολογία επιμετάλλωσης μεμβράνης το 1870 και σταδιακά χρησιμοποιήθηκε στην βιομηχανική παραγωγή μετά το 1930 λόγω αυξημένου ρυθμού εναπόθεσης, συνήθως το υλικό που εναποτίθεται σε στόχο πλάκας, στερεωμένο στην κάθοδο. Το υπόστρωμα τοποθετείται στην άνοδο ακριβώς απέναντι από την επιφάνεια στόχο, λίγα εκατοστά μακριά από τον στόχο, το σύστημα αντλείται σε υψηλό κενό και στη συνέχεια γεμίζεται με 10~1 pa αερίου (συνήθως αργό). Εφαρμόζεται τάση αρκετών χιλιάδων βολτ μεταξύ της καθόδου και της ανόδου και δημιουργείται εκκένωση λάμψης μεταξύ των πόλων. διαφυγή από το άτομο στόχο της επιφάνειας-στόχου που ονομάζεται άτομο διασκορπισμού, η ενέργεια στην περιοχή από 1 έως δεκάδες ηλεκτρον βολτ Άτομο διασκορπισμού στην επιφανειακή μεμβράνη απόθεσης του υποστρώματος με διαφορετική επίστρωση εξάτμισης, επίστρωση διασκορπισμού χωρίς περιορισμό από το σημείο τήξης του υλικού μεμβράνης, διασκορπισμός Ta WC Mo Το WC TiC και άλλη σύνθετη μεμβράνη επιμετάλλωσης πυρίμαχων ουσιών μπορούν να χρησιμοποιηθούν με τη μέθοδο αντιδραστικής επιμετάλλωσης, δηλαδή, το αέριο αντίδρασης (ON HS CH, κ.λπ.) που προστίθεται στο αέριο Ar, το αέριο αντίδρασης και τα ιόντα του και τα άτομα-στόχοι ή τα άτομα επιμετάλλωσης αντιδρούν σε παράγουν ενώσεις (όπως νιτρίδιο οξειδίου, κ.λπ.) και εναποτίθενται στο υπόστρωμα εναποτιθέμενο μονωτικό φιλμ μπορεί να χρησιμοποιηθεί με μέθοδο sputtering υψηλής συχνότητας. λήφθηκε η χωρητικότητα δικτύου και συνεχούς ρεύματος γεμάτη με μονωτικό ηλεκτρόδιο μονωτικής πλακέτας συνδεδεμένο με το τροφοδοτικό υψηλής συχνότητας, πλάσμα υψηλής πολικότητας αλλαγής τάσης ηλεκτρονίων και θετικών ιόντων στο θετικό μισό κύκλο της τάσης και στον αρνητικό μισό κύκλο αντίστοιχα στη μόνωση στο στόχο. Η κινητικότητα των ηλεκτρονίων είναι υψηλότερη από το θετικό ιόν, η μονωτική επιφάνεια στόχου με αρνητικό φορτίο, σε δυναμική ισορροπία, ο στόχος είναι σε αρνητικό δυναμικό πόλωσης, έτσι ώστε το θετικό ιόν που διασκορπίζεται στον στόχο συνεχίζει να χρησιμοποιεί διασκορπισμό μαγνητρονίου μπορεί να κάνει τον ρυθμό εναπόθεσης από τον Η εκτόξευση μη μαγνητρονίων αυξάνει σχεδόν μια τάξη μεγέθους

Εταιρεία IKS PVD, μηχανή διακοσμητικής επίστρωσης, μηχανή επίστρωσης εργαλείων, μηχανή επίστρωσης DLC, μηχανή οπτικής επίστρωσης, γραμμή επίστρωσης κενού PVD, το έργο με το κλειδί στο χέρι είναι διαθέσιμο. Επικοινωνήστε μαζί μας τώρα, E-mail:%7β%7β0%7δ%7δ